Transistor Biasing के लिए निम्न प्रकार के circuits प्रयोग किये जाते है।

1. Transistor Biasing के लिए Base Resistor Biasing method :- इस विधि में D.C. स्रोत से एक उच्च मान KΩ का प्रतिरोधक R_B संयोजित कर बेस को बायस प्रदान की जाती है। क्लैक्टर सर्किट में भी कम मान का प्रतिरोधक R_L प्रयोग किया जाता है जो वोल्टेज ड्रॉपिंग तथा लोड Resistor का कार्य करता है। इस सर्किट में एमीटर को अर्थ कर दिया जाता है।

लाभ :-

• यह सर्किट सरल है।
• इसका संयोजन एव गणनाएँ सरल है।

हानियाँ :-

• यह सर्किट लीनियर एम्पलीफिकेशन श्रेणी A एम्पलीफिकेशन के लिए अनुपयोगी है।
• यह सर्किट स्थिर एम्पलीफिकेशन प्रदान नहीं करता।

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2. Transistor Biasing के लिए Feedback Resistor Biasing Method :- इस विधि में बेस बायसिंग प्रतिरोधक R_B का एक सिरा सीधे D.C. सप्लाई से जोड़ दिया जाता है। इसमें प्रतिरोधक R_B का मान कम रखा जाता है।

लाभ :-

• इस सर्किट का ऑपरेटिंग बिन्दु स्थिर रहता है।
• इस सर्किट की thermal stability बेस प्रतिरोधक बायसिंग विधि की अपेक्षा उच्च होती है।

हानियाँ :-

• इस सर्किट में D.C. Feedback के साथ साथ A.C. Feedback भी पैदा होती है जिससे एम्प्लीफायर का गेन घट जाता है और इसीलिए यह सर्किट बहुत कम प्रयोग किया जाता है
• इस सर्किट में बेस बायस का मान अपेक्षाकृत कम स्थिर रहता है।

3. Transistor Biasing के लिए Emitter Resistor Biasing Method :- इस विधि में बेस बायसिंग प्रतिरोधक R_B के अतिरिक्त एक प्रतिरोधक R_E एमीटर अर्थ के बीच संयोजित किया जाता है। यह सर्किट emitter feedback biasing circuit भी कहलाता है।

लाभ :-

• इस सर्किट में ऑपरेटिंग बिन्दु के स्थिरीकरण के लिए एमीटर सर्किट में लगाया गया प्रतिरोधक D.C. बायस प्रदान करता है।
• यह एक सरल सर्किट है।

हानियाँ :-

• V_CC का मान अधिक रखना पड़ता है क्योकि V_CE = V_CC^—  ( V_C + V_E )
• D.C. feedback के साथ साथ पैदा होने वाले A.C. Feedback को रोकने के लिए capacitor C_E का प्रयोग किया आवश्यक है।

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Transistor Biasing के लिए वोल्टेज डिवाडर बायसिंग विधि

4. वोल्टेज डिवाडर बायसिंग विधि ( Voltage Divider Biasing Method ) :- यह सर्वाधिक प्रयोग की जाने वाली बायसिंग विधि है। इस विधि में बेस बायस का मान अन्य विधियों की तुलना में स्थिर रहता है इसमें दो प्रतिरोधक R₁ तथा R₂ positive तथा negative सप्लाई के एक्रॉस श्रेणी क्रम में जोड़े जाते है और उनके जोड़ से बेस को बायस प्रदान की जाती है। प्रतिरोधकों R₁ तथा R₂ से बने वोल्टेज डिवाडर में प्रतिरोधक R₂ के एक्रॉस ड्रॉप होने वाला वोल्टेज ट्रांजिस्टर के लिए फॉरवर्ड बेस बायस तैयार करता है।

इस सर्किट में बायस स्थिरीकरण प्रक्रिया निम्न प्रकार है :- यदि सर्किट का तापमान बढ़ता है तो कलैक्टर करंट I_C भी बढ़ जाती है। जिसके कारण प्रतिरोधक R_E के एक्रॉस वोल्टेज ड्रॉप भी बढ़ेगा। परन्तु प्रतिरोधक R₂ के एक्रॉस ड्रॉप होने वाला वोल्टेज क्लैक्टर में होने वाली वृद्धि I_C से अप्रभावित रहता है इसीलिए V_BE का मान घट जायेगा ( क्योकि R₂ = V_E + V_BE और इसमें से V_E का मान घट गया है ) बेस बायस घटने से कलैक्टर करंट I_C घट कर अपने मूल मान पर पहुँच जाएगी।

लाभ :-

• इस सर्किट में बेस बायस का मान स्थिर रहता है।
• बेस बायस का मान कलैक्टर करंट पर निर्भर नहीं करता।

हानियाँ :- Circuit बड़ा हो जाता है और अधिक components लगाने पड़ते है।

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